Definition of Thermal Oxidation

▶ 열산화 법이란?

고온(약 1000 oC) 에서 Si Wafer 표면을 산소와 반응하도록 하여
산화막을 형성시키는 공정으로, 우수한 특성의 절연막을 형성 시킬 수 있는 기술이다.


▶ 산화층의 기능

1. 절연막

2. 보호막

스크레치, 입자오염으로부터
Wafer를 보호

3. Masking

Ion Implantation, Etching
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산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식산화 법과 습식산화 법으로 구분 할 수 있다.

▶ Dry Oxidation

고온의 Furnace 내로 O2 가스를 공급하여 실리콘을 산화 시킨다.
막의 성장 속도가 느리다.
Si(s) + O2(g) → SiO2(s)

▶ Wet Oxidation

고온의 Furnace 내로 초 순수 수증기를 공급하여 실리콘을 산화시킨다.
막의 형성 속도가 빠르다.
Si(s) + 2H2O(g) → SiO2(s) + 2H2