EUV - Photolithography의 종류 및 공정 단계와 그와 관련된 기술들의 특성에 대한 조사
본 자료는 6페이지 의 미리보기를 제공합니다. 이미지를 클릭하여 주세요.
닫기
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
해당 자료는 6페이지 까지만 미리보기를 제공합니다.
6페이지 이후부터 다운로드 후 확인할 수 있습니다.

목차

목 차
1. 주제를 선정한 동기

2. 현 반도체 생산라인

3. 최신 기술 동향

4. ITRS - Roadmap

5. 기술관련성

6. Lithography 종류 및공정 단계

7. Extreme ultraviolet lithography

8. 현 EUV의 문제점

본문내용

◈ 주제선정 동기
1. IT 산업의 중점인 반도체
2. 메모리부분 발전가능성
3. 기술면접에 대한 대비
4. 새로운 지식을 쌓을 수 있는 기회.
◈ 현 최신 기술 동향
AMD와 IBM이 공동으로 초 자외선( Extreme Ultra-Violet, EUV)마이크로 영상기술을 적용하여 칩의 제일 중요한 제 1층의 금속 연결 부분의 테스트를 할 수 있게 되었다고 발표. EUV 영상 기술로 22 x 33mm의 45nm 공정 chipset의 테스트 성공
2008. 2. 29일 발표
삼성 : 2008. 3. 28 30nm pattering 이용한 NAND-flash 세계 최초로 성공.
도시바 : 2008. 2. 13 43nm의 NAND flash 개발.
INTEL : 2007. 9. 21 45nm의 process 생산 중. 2009년 32nm process 생산 준비 중.
TSMC : 2008. 3. 24 40nm 공정발표. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd )
◈ Kinds of lithography
- Double Pattering Tech.
- Double exposure Tech.
- Self-Aligned double patterning Tech.
- Immersion Tech.
- X-ray Tech.
- Nano-imprint Tech.
- EUV Tech.
◈ 각 타입에 대한 공정 Table과 그에 대한 세부 설명
1. Double patterning and exposure
『<공정 테이블> 첨가』
두번의 노광을 통한 CD를 줄이는 방법과, etch와 노광의 반복으로 CD를 줄이는 방법, spacer를 이용한 방법
이 있다.
  • 가격1,500
  • 페이지수18페이지
  • 등록일2008.05.26
  • 저작시기2008.4
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#466088
본 자료는 최근 2주간 다운받은 회원이 없습니다.
청소해
다운로드 장바구니