목차
목 차
1. 주제를 선정한 동기
2. 현 반도체 생산라인
3. 최신 기술 동향
4. ITRS - Roadmap
5. 기술관련성
6. Lithography 종류 및공정 단계
7. Extreme ultraviolet lithography
8. 현 EUV의 문제점
1. 주제를 선정한 동기
2. 현 반도체 생산라인
3. 최신 기술 동향
4. ITRS - Roadmap
5. 기술관련성
6. Lithography 종류 및공정 단계
7. Extreme ultraviolet lithography
8. 현 EUV의 문제점
본문내용
◈ 주제선정 동기
1. IT 산업의 중점인 반도체
2. 메모리부분 발전가능성
3. 기술면접에 대한 대비
4. 새로운 지식을 쌓을 수 있는 기회.
◈ 현 최신 기술 동향
AMD와 IBM이 공동으로 초 자외선( Extreme Ultra-Violet, EUV)마이크로 영상기술을 적용하여 칩의 제일 중요한 제 1층의 금속 연결 부분의 테스트를 할 수 있게 되었다고 발표.EUV 영상 기술로 22 x 33mm의 45nm 공정 chipset의 테스트 성공
2008. 2. 29일 발표
삼성 : 2008. 3. 28 30nm pattering 이용한 NAND-flash 세계 최초로 성공.
도시바 : 2008. 2. 1343nm의 NAND flash 개발.
INTEL : 2007. 9. 2145nm의 process 생산 중.2009년 32nm process 생산 준비 중.
TSMC : 2008. 3. 2440nm 공정발표.(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd )
◈ Kinds of lithography
- Double Pattering Tech.
- Double exposure Tech.
- Self-Aligned double patterning Tech.
- Immersion Tech.
- X-ray Tech.
- Nano-imprint Tech.
- EUV Tech.
◈ 각 타입에 대한 공정 Table과 그에 대한 세부 설명
1. Double patterning and exposure
『<공정 테이블> 첨가』
두번의 노광을 통한 CD를 줄이는 방법과, etch와 노광의 반복으로 CD를 줄이는 방법, spacer를 이용한 방법
이 있다.
1. IT 산업의 중점인 반도체
2. 메모리부분 발전가능성
3. 기술면접에 대한 대비
4. 새로운 지식을 쌓을 수 있는 기회.
◈ 현 최신 기술 동향
AMD와 IBM이 공동으로 초 자외선( Extreme Ultra-Violet, EUV)마이크로 영상기술을 적용하여 칩의 제일 중요한 제 1층의 금속 연결 부분의 테스트를 할 수 있게 되었다고 발표.EUV 영상 기술로 22 x 33mm의 45nm 공정 chipset의 테스트 성공
2008. 2. 29일 발표
삼성 : 2008. 3. 28 30nm pattering 이용한 NAND-flash 세계 최초로 성공.
도시바 : 2008. 2. 1343nm의 NAND flash 개발.
INTEL : 2007. 9. 2145nm의 process 생산 중.2009년 32nm process 생산 준비 중.
TSMC : 2008. 3. 2440nm 공정발표.(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd )
◈ Kinds of lithography
- Double Pattering Tech.
- Double exposure Tech.
- Self-Aligned double patterning Tech.
- Immersion Tech.
- X-ray Tech.
- Nano-imprint Tech.
- EUV Tech.
◈ 각 타입에 대한 공정 Table과 그에 대한 세부 설명
1. Double patterning and exposure
『<공정 테이블> 첨가』
두번의 노광을 통한 CD를 줄이는 방법과, etch와 노광의 반복으로 CD를 줄이는 방법, spacer를 이용한 방법
이 있다.
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